Paládio do nanopowder do nanopowder de CAS 7440-05-3 Pd como o catalizador
Tamanho: 20-30nm Pureza: 99,95% Nr. CAS: 7440-05-3 ENINEC No.: 231-115-6 Aparência: pó preto Forma: esférica
Tamanho: 20-30nm Pureza: 99,95% Nr. CAS: 7440-05-3 ENINEC No.: 231-115-6 Aparência: pó preto Forma: esférica
Nós podemos fornecer produtos de tamanho diferente de siliceto de nióbio em pó de acordo com as necessidades do cliente. Tamanho: 1-3um; Pureza: 99,5%; Forma: granular Nº CAS: 12034-80-9; Nº ENINEC: 234-812-3
Partícula de Ni2Si, pureza de 99,5%, forma granular, é usado para circuito integrado microeletrônica, filme de siliceto de níquel, etc. Tamanho: 1-10um; Nº CAS: 12059-14-2; Nº ENINEC: 235-033-1
Como um dos muitos materiais termicamente condutores, nitreto de boro É um produto único. Entre as categorias de alta condutividade térmica, possui alto isolamento e, entre os tipos de alta condutividade térmica e alto isolamento, é o mais barato. Na indústria de semicondutores, os materiais de interface representam o maior gargalo e são o componente com a menor condutividade térmica. Independentemente do sistema de dissipação de calor utilizado, a resistência térmica da interface pode comprometer os esforços dos engenheiros. A alternativa mais promissora à alumina é o nitreto de boro. O nitreto de boro, material de interface térmica desenvolvido, apresenta condutividade térmica longitudinal superior a 20 watts e resistência térmica de 0,85 kK/cm²/W a 1 mm, superando todos os produtos isolantes em termos de condutividade térmica e alcançando alta flexibilidade e resiliência. O processo de produção é livre de solventes. Em testes de simulação em laboratório, comparado com pads térmicos nacionais de 12 watts, a temperatura da fonte de calor diminuiu em 23,5 °C. Na verificação de aplicação em módulos ópticos, o nitreto de boro superou o pad térmico de fibra de carbono de marcas estrangeiras. Diversos indícios sugerem que a substituição do óxido de alumínio pelo nitreto de boro é, de fato, viável. É claro que o sucesso tecnológico não garante necessariamente o sucesso comercial. Atualmente, um número crescente de pesquisadores de materiais está investindo na pesquisa do nitreto de boro, e sempre haverá alguém que romperá as barreiras do mercado e trará novas tecnologias e produtos para o setor. A indústria de nitreto de boro será um mercado promissor, e os fabricantes nacionais devem acelerar a pesquisa e o desenvolvimento de produtos visando alta pureza, monocristalinos, com tamanho de partícula grande e baixo custo, em conjunto com as necessidades de materiais de interface térmica, para promover conjuntamente a modernização industrial. A SAT NANO é uma das melhores fornecedoras de pó de nitreto de boro na China. Oferecemos partículas com tamanhos de 100 nm e de 1 a 3 µm. Para mais informações, entre em contato conosco. admin@satnano.com
consulte Mais informaçãoNo crescimento explosivo de veículos de novas energias, usinas de armazenamento de energia, eletrônicos de consumo e outros campos, o "coração" de baterias de lítio O tamanho das partículas dos materiais ativos está se tornando o fator crucial que determina o desempenho da bateria. Da bateria Tesla 4680 à bateria CATL Kirin, do fosfato de ferro-lítio ao eletrodo positivo ternário, o ajuste em nível micrométrico do tamanho das partículas do material afeta diretamente a velocidade de carga e descarga, a vida útil e até mesmo os limites de segurança da bateria. Por que as gigantes da tecnologia estão de olho na nanoescala? De acordo com a lei de Fick, o tempo de difusão dos íons de lítio dentro de uma partícula é proporcional ao quadrado do raio da partícula. Partículas em nanoescala (
consulte Mais informação1. Situação atual da indústria: Transição dos laboratórios para a produção em larga escala e em massa. Sendo considerado o "supergrafeno" na família dos materiais de carbono, nanotubos de carbono de parede única (SWCNTs) São amplamente utilizados em áreas de ponta, como agentes condutores para baterias de lítio, materiais compósitos, eletrônica flexível e dispositivos optoeletrônicos, devido às suas propriedades elétricas, mecânicas e térmicas únicas, e há muito são considerados materiais disruptivos. No entanto, nas últimas duas décadas, seu desenvolvimento tem sido limitado por obstáculos como altos custos de preparação, difícil controle quiral e pureza insuficiente, permanecendo, em sua maioria, restrito à fase de pesquisa laboratorial. Algumas empresas já construíram linhas de produção com capacidade para toneladas ou mais, e seus produtos começaram a entrar na cadeia de suprimentos de fabricantes de baterias, com um aumento constante na taxa de penetração no mercado. Pode-se dizer que a indústria global de nanotubos de carbono de parede simples (SWCNT) ainda está em um período de transição, passando de "conquistas de laboratório" para "aplicações em larga escala", com enorme potencial de mercado, mas ainda é necessário estabelecer um sistema de estabilidade de qualidade e padronização. Como um ponto de virada crucial em 2025, pesquisas em áreas de aplicação relacionadas demonstraram que certas flutuações de qualidade dos nanotubos de carbono de parede única têm pouco impacto no desempenho do produto final. Portanto, em campos de aplicação específicos, os padrões de qualidade para nanotubos de carbono podem ser flexibilizados até certo ponto, resultando em uma redução significativa nos custos de produção. Ao mesmo tempo, com a demanda explosiva de indústrias a jusante, como baterias de estado sólido, baterias de sódio e semicondutores de ponta, os nanotubos de carbono de parede única estão inaugurando uma oportunidade histórica para a produção em larga escala. Expansão acelerada da capacidade produtiva: Atualmente, o mercado global é dominado por poucas empresas, e o cenário competitivo é relativamente concentrado. Para aliviar a pressão sobre a oferta, os fabricantes nacionais estão expandindo ativamente a produção, acelerando a atualização de equipamentos e intensificando os esforços em pesquisa e desenvolvimento. Aumento expressivo no volume de remessas: No primeiro semestre de 2025, o volume de remessas de argamassa de parede simples pelas principais empresas nacionais atingiu 1.000 toneladas, e a expectativa é que ultrapasse 3.000 toneladas ao longo do ano. A previsão é de que alcance o patamar de 10.000 toneladas até 2026. 2. Orientado para o mercado: Ampla gama de cenários de aplicação Os nanotubos de carbono de parede única (SWCNTs) foram inicialmente utilizados principalmente em pesquisas científicas e em nichos de materiais, mas, à medida que as novas indústrias de energia e semicondutores se aprofundam, sua demanda de mercado está ...
consulte Mais informaçãoCom o desenvolvimento da tecnologia de circuitos integrados (CI), a escala dos transistores de efeito de campo (FETs) de semicondutores de óxido metálico (MOS) baseados em silício está se aproximando de seus limites físicos fundamentais. Nanotubos de carbono (NTCs) são considerados materiais promissores na era pós-silício devido à sua espessura atômica e propriedades elétricas únicas, com potencial para melhorar o desempenho dos transistores e, ao mesmo tempo, reduzir o consumo de energia. Nanotubos de carbono alinhados de alta pureza (A-CNT) são uma escolha ideal para acionar CIs avançados devido à sua alta densidade de corrente. No entanto, quando o comprimento do canal (Lch) diminui abaixo de 30 nm, o desempenho do FET A-CNT de porta única (SG) diminui significativamente, manifestando-se principalmente pela deterioração das características de comutação e aumento da corrente de fuga. Este artigo tem como objetivo revelar o mecanismo de degradação do desempenho do FET A-CNT por meio de pesquisa teórica e experimental, e propor soluções. O acadêmico Peng Lianmao, o pesquisador Qiu Chengguang e o pesquisador Liu Fei, da Universidade de Pequim, superaram o acoplamento eletrostático entre nanotubos de carbono (CNTs) por meio de uma estrutura de porta dupla para atingir o limite de comutação de Boltzmann dos transistores de nanotubos de carbono (CNT-FET). Pesquisas constataram que nanotubos de carbono alinhados de alta densidade (A-CNTs) apresentam estreitamento significativo da banda proibida (BGN) devido ao empilhamento em configurações tradicionais de porta única, afetando assim suas vantagens eletrostáticas inerentes quase unidimensionais. Por meio de simulação teórica e verificação experimental, foi proposta uma estrutura de porta dupla eficaz, capaz de reduzir significativamente o efeito BGN, atingir a oscilação subliminar (SS) do FET A-CNT até o limite de emissão térmica de Boltzmann de 60 mV/década e atingir uma relação de corrente de comutação superior a 10 ^ 6. Além disso, o FET A-CNT de porta dupla ultracurta de 10 nm preparado apresenta excelente desempenho, como alta corrente de saturação (acima de 1,8 mA/μm), alta transcondutância de pico (2,1 mS/μm) e baixo consumo de energia estática (10 nW/μm), atendendo aos requisitos de circuitos integrados avançados. Os resultados da pesquisa relacionada foram publicados na ACS Nano sob o título "Realizing Boltzmann Switching Limit in Carbon Nano Transistors through Combining Intertube Electrostatic Coupling" (Realizando o Limite de Comutação de Boltzmann em Transistores de Nanotubos de Carbono por meio da Combinação de Acoplamento Eletrostático Intertubos). A SAT NANO é a melhor fornecedora de pó de nanotubos de carbono na China. Podemos fornecer pó SWCNT, MWCNT e DWCNT. Se você tiver alguma dúvida sobre pó de nanotubos de carbono, entre em contato conosco pelo e-mail admin@satnano.com.
consulte Mais informaçãoNos últimos anos, com o desenvolvimento e a popularização contínuos da tecnologia de comunicação sem fio, os cenários de aplicação da comunicação sem fio se tornaram cada vez mais difundidos, como comunicação por telefone celular, transmissão de dados sem fio, navegação por satélite, Internet das Coisas, etc. Em sistemas de comunicação sem fio, as antenas desempenham um papel crucial no desempenho e na confiabilidade do sistema como componentes importantes para receber e transmitir sinais sem fio. De acordo com a China Powder Network, há três maneiras principais de melhorar o desempenho da antena: primeiro, otimizar a tecnologia de encapsulamento, como a tecnologia de encapsulamento de placas de circuito multicamadas e a tecnologia de encapsulamento de semicondutores; o segundo é otimizar a estrutura da antena, como ranhuras, dobras, curto-circuitos de ramificações e alteração do método de alimentação de estruturas de antena tradicionais; o terceiro é otimizar o material do substrato da antena, como usar compostos de materiais, melhorar os processos e desenvolver novos materiais para melhorar o desempenho dos materiais do substrato da antena. Os dois primeiros meios tecnológicos foram totalmente desenvolvidos e gradualmente se tornaram gargalos, embora ainda haja espaço significativo para melhorias no desempenho dos materiais do substrato da antena. Além disso, como o design do encapsulamento e a otimização estrutural das antenas estão intimamente relacionados aos materiais do substrato, o desenvolvimento de materiais de substrato excelentes é fundamental para alcançar a otimização do desempenho da antena. Em maio deste ano, a Huawei Technologies Co., Ltd. e a Universidade de Ciência e Tecnologia Eletrônica da China solicitaram uma patente intitulada "Um Material Híbrido Magnético e Seu Método de Preparação, Material Composto de Polímero, Antena e Equipamento Eletrônico". O material híbrido magnético inclui uma mistura de pó magnético e pó regulador de viscosidade. De acordo com a descrição da patente, devido à sua alta permeabilidade magnética e características de baixa perda, materiais de pó magnético de ferrite tornaram-se um dos principais materiais básicos para substratos de antenas, placas de circuito de micro-ondas de alta frequência, indutores, filtros e outros dispositivos em dispositivos eletrônicos. Em tecnologias relacionadas, materiais de pó magnético de ferrite com alta permeabilidade magnética e características de baixa perda são os principais materiais básicos para substratos de antenas. Portanto, para atingir baixas perdas de transmissão de sinal, materiais de pó magnético de ferrite são utilizados em materiais de antena, o que pode reduzir o tamanho físico da antena, evitando os efeitos adversos do uso de materiais de pó magnético de alta constante dielétrica na operação da antena, melhorando assim a integração. No entanto, o material de ferrite mencionado acima adota uma estrutura de ferrite monazita, e a posição do pico de res...
consulte Mais informaçãoAtualmente, a indústria fotovoltaica está acelerando sua iteração em direção à tecnologia de baterias tipo N eficientes, e as células de heterojunção (HJT) tornaram-se uma direção de desenvolvimento altamente promissora devido às suas vantagens excepcionais, como alta eficiência de conversão, baixo coeficiente de temperatura e alta razão de bicamada. No entanto, devido à estrutura de geração de energia de dupla face utilizada pela HJT, a pasta de prata de baixa temperatura precisa ser revestida em ambos os lados da bateria, resultando em um consumo de pó de prata muito maior do que as células PERC de face única. O alto custo do pó de prata tornou-se um gargalo importante, restringindo sua comercialização em larga escala e a redução adicional de custos. Impulsionado pelo objetivo central de promover continuamente a "redução de custos e a melhoria da eficiência" na indústria fotovoltaica, é urgente encontrar um "substituto" para o pó de prata. Comparado ao pó de prata, o pó de cobre apresenta uma enorme vantagem de custo devido ao seu preço extremamente baixo. No entanto, a maior desvantagem inerente do pó de cobre é sua alta suscetibilidade à oxidação. Nos ambientes de preparação e uso de eletrodos, sua condutividade se deteriora acentuadamente devido à oxidação, dificultando o atendimento aos requisitos de operação confiável de longo prazo das células fotovoltaicas. Portanto, a tecnologia de pó de cobre revestido com prata, que combina vantagens de custo e potenciais garantias de desempenho, surgiu como uma importante direção de exploração na trajetória de redução de custos de baterias estruturadas de dupla face, como as HJT. O pó de cobre revestido com prata é formado pelo revestimento uniforme e contínuo de uma camada de prata que varia de dezenas a centenas de nanômetros na superfície do pó de cobre, formando uma típica "estrutura núcleo-casca". Essa estrutura especial permite que o núcleo de cobre ocupe a maior parte da massa do pó, reduzindo significativamente o consumo do caro metal prateado. Por outro lado, confere ao pó de cobre e prata excelentes propriedades semelhantes às do pó de prata pura: 1. Atividade antioxidante A camada densa e quimicamente inerte de prata na superfície do pó de cobre revestido de prata atua como uma barreira física, isolando efetivamente o núcleo interno de cobre do ambiente externo (oxigênio, umidade), retardando significativamente o processo de oxidação do núcleo de cobre. 2. Condutividade: Como enchimento condutor em eletrodos, o pó de cobre revestido de prata pode conduzir corrente através de uma camada externa de prata. Em teoria, uma camada de prata bem revestida garante a condução eficaz da corrente na superfície do eletrodo, proporcionando alta condutividade próxima à superfície do pó de prata. Com a aceleração da iteração tecnológica, especialmente em colaboração com processos emergentes de baterias de baixa temperatura, como o HJT, o potencial de aplicação industrial do pó de cobre revestido de prata ...
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